忍者ブログ
2017/08    07« 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27  28  29  30  31  »09
×

[PR]上記の広告は3ヶ月以上新規記事投稿のないブログに表示されています。新しい記事を書く事で広告が消えます。

ozuma 曰く、ローレンス・バークレー国立研究所の Feng Wang らは、グラフェンのバンドギャップを電界により 0 meV (ミリ電子ボルト) から 250 meV まで自由に制御することに成功したらしいです。また同時に、フェルミ準位も自由に制御できることを確認したという (EurekAlert! の記事より) 。グラフェンとは炭素原子が 2 次元に整列したシート形状をした物質で、鉛筆の芯などの炭素 (グラファイト) もこれが重なり合ってできている。「鉛筆の芯をセロテープで何度もくっつけたり剥がしたりする」という実にローテクな手法で得られるが、電子の移動度が非常に高いなどその物理的性質は大変に興味深く、ここ数年多くの注目を集めている材料である。今までグラフェンは、非常に高い電子移動度という特質からFET (電界効果トランジスタ) への応用が期待されていたが、バンドギャップがゼロであったため「ON には出来るが OFF にできない」という問題があったらしいです。今回 Wang らは、単層ではなく 2 層のグラフェンに電極を付けて電界を加え、光学測定などを行うことによりこの 2 層グラフェンのバンドギャップとフェルミ準位が変化することを確認したという。バンドギャップとフェルミ準位とは物質の電気的・光学的性質を決定する非常に重要なパラメータであり、この値を制御することができれば、例えば同じ物質を導体・半導体と自由にその性質を変化させたり、発光時の光の波長 (発光色) を変化させたりすることができる。現在の技術でも半導体へのドーパントの量を調節することなどにより物質のバンドギャップを変えることはできるが、これはあくまでデバイス作製時の話である。今回の発見はグラフェンに電界を加えることでバンドギャップを変化させることができるということであり、その場で自由にパラメータ値を決定できるという、限りない応用例をもたらしてくれる画期的な発見である。 すべて読むサイエンスセクションサイエンス 関連ストーリー: グラフェンによる高速トランジスターが現実に 2008年12月19日 グラフェン風船を膨らませ! 2008年08月12日 ポストシリコンの物質はグラフェン? 2008年03月27日 炭素の単原子シートにシリコンを超える半導体の可能性 2008年01月11日

大変だー。
PR

バーコード

ブログ内検索

<< Back  | HOME Next >>
Copyright ©  -- doranekotamu --  All Rights Reserved
Design by CriCri / Material by もずねこ / powered by NINJA TOOLS / 忍者ブログ / [PR]